IGBT模塊FZ1000R33HL3
點擊次數(shù)：2583 更新時間：2023-11-17
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
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品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊，最大規(guī)格1mΩ
新品
采用 1200V SiC M1H芯片的
62mm半橋模塊，最大規(guī)格1mΩ
1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了 M1H芯片技術(shù)，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料（TIM）版本。
相關(guān)產(chǎn)品：
1，2，6mΩ，1200V 62mm半橋模塊
產(chǎn)品特點
集成體二極管，優(yōu)化了熱阻
最高的防潮性能
柵極氧化層可靠性
抗宇宙射線能力強
符合RoHS標準要求
應(yīng)用價值
按照應(yīng)用苛刻條件優(yōu)化
更低的電壓過沖
導(dǎo)通損耗最小
高速開關(guān)，損耗極低
對稱模塊設(shè)計實現(xiàn)對稱的上下橋臂開關(guān)行為
標準模塊封裝技術(shù)確?？煽啃?/p>
62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線上生產(chǎn)
競爭優(yōu)勢
通過碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品，以滿足快速開關(guān)要求和低損耗的應(yīng)用。
電流密度最高，防潮性能強
應(yīng)用領(lǐng)域
儲能系統(tǒng)
電動汽車充電
光伏逆變器
UPS
