北京晶閘管的全動態(tài)測試，實際上是模擬器件的工頻應用狀態(tài)，在正半周施加接近單相正弦半波的額定通態(tài)平均電流，使器件自身發(fā)熱，當發(fā)熱與散熱達到熱平衡時，器件結(jié)溫將穩(wěn)定在一定值，此時在負半周施加正向或反向不重復峰值電壓或重復峰值電壓，在正向或反向重復峰值電壓下讀取正向或反向重復平均漏電流。在不加正向或反向峰值電壓時測取器件的通態(tài)平均壓降。當重復平均漏電流和通態(tài)平均壓降都小于標準規(guī)定值時，該器件為全動態(tài)測試合格。
 

　　北京晶閘管的全動態(tài)測試是過去部標測試標準中規(guī)定的器件出廠必測項目，它能將那些在高溫測試時重復峰值電壓和漏電流都合格而在通額定電流時結(jié)溫過高漏電流過大的器件淘汰掉，保證了器件出廠使用的可靠性。
 

　　該測試臺線路設計、主回路無負載電阻、節(jié)電效率高、操作簡單、保護可靠，是晶閘管模塊生產(chǎn)廠家控制產(chǎn)品質(zhì)量的重要檢測設備。
 

　　從北京晶閘管的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時間、關斷時間等，甚至有時控制極也可燒壞。由于晶閘管各參數(shù)性能的下降或線路問題會造成晶閘管燒損，從表面看來每個參數(shù)所造成晶閘管燒損的現(xiàn)象是不同的，因此通過解剖燒損的晶閘管就可以判斷出是由哪個參數(shù)造成晶閘管燒壞的。
 

　　一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管的原因有兩中可能，一是晶閘管電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產(chǎn)生了過電壓，且對晶閘管所采取的保護措施失效。
 

　　北京晶閘管因為其特性導致比較容易出現(xiàn)損壞現(xiàn)象，因此我們在選購過程中，應由其注意這方面的問題，關于晶閘管的相關知識，后續(xù)我們將繼續(xù)為大家進行介紹。