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可控硅的兩大保護(hù)措施
點(diǎn)擊次數(shù):2433 更新時(shí)間:2015-12-21
 
  
  可控硅元件的主要弱點(diǎn)是承受過電流和過電壓的能力很差,即使短時(shí)間的過流和過電壓,也可能導(dǎo)致可控硅的損壞,所以必須對(duì)它采用適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)措施。
  
  1.過電流保護(hù)
  
  可控硅出現(xiàn)過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發(fā)。過電流保護(hù)有以下三種:
  
  *種是快速容斷器:快速容斷器中的溶絲是銀質(zhì)的,只要選用適當(dāng),在同樣的過電流倍數(shù)下,它可以在可控硅損壞前先溶斷,從而保護(hù)了晶閘管。
  
  第二種是過電流繼電器:當(dāng)電流超過過電流繼電器的整定值時(shí),過電流繼電器就會(huì)動(dòng)作,切斷保護(hù)電路。但由于繼電器動(dòng)作到切斷電路需要一定時(shí)間,所以只能用作可控硅的過載保護(hù)。
  
  第三種是過載截止保護(hù):利用過電流的信號(hào)將可控硅的觸發(fā)信號(hào)后移,或使可控硅得導(dǎo)通角減小,或干脆停止觸發(fā)保護(hù)可控硅。
  
  2.過電壓保護(hù)
  
  過電壓可能導(dǎo)致可控硅的擊穿,其主要原因是由于電路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或可控硅在導(dǎo)通與截止間的轉(zhuǎn)換。對(duì)過壓保護(hù)可采用兩種措施:
  
  *種:阻容保護(hù)阻容保護(hù)是電阻和電容串聯(lián)后,接在可控硅電路中的一種過電壓保護(hù)方式,其實(shí)質(zhì)是利用電容器兩端電壓不能突變和電容器的電場(chǎng)儲(chǔ)能以及電阻使耗能元件的特性,把過電壓的能量變成電場(chǎng)能量儲(chǔ)存在電場(chǎng)中,并利用電阻把這部分能量消耗掉。
  
  第二種:硒堆保護(hù)。

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